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NTD4809N, NVD4809N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.95
0.83
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
19.5
ns
Charge Time
Discharge Time
ta
tb
V GS = 0 V, dIs/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
10.7
8.8
Reverse Recovery Time
Q RR
9.2
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.49
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
3.46
Gate Resistance
R G
2.4
W
http://onsemi.com
3
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